m5rb
06-19-2003, 06:06 PM
أعلنت شركة «آي بي إم» الأميركية وشريكتها «انفنيون تكنولوجيز»
الالمانية عن قيامهما بتطوير رقاقة حاسوبية ثورية ربما تتيح في نهاية
المطاف تشغيل وايقاف الكمبيوتر بلمح البصر مثل إشعال وإطفاء المصباح
الكهربائي. وقالت الشركتان في بيان مشترك: إن تقنية الذاكرة
المغناطيسية (مرام) الاكثر تقدما الى الآن تم تطويرها بدمج مكونات من
الذاكرة المغناطيسية في قاعدة منطقية عالية الاداء.
وتتميز «مرام» بسرعة اكبر في العمل وتخزين البيانات وهي اقل
استهلاكا للطاقة من رقاقات الذاكرة الاخرى، بحسب البيان الذي قال
أن «التقنية الجديدة سوف تحسن اداء الكمبيوترات المحمولة بشكل
كبير». وجاء البيان: «بما ان ذاكرة (مرام) تحتفظ بالمعلومات عندما
تنقطع عنها الطاقة فإن المنتجات الحاسوبية التي تستخدمها، مثل
الكمبيوترات الشخصية، سوف تكون قادرة على العمل مباشرة فور
التشغيل دون الحاجة للانتظار حتى تتم عملية الإعداد التلقائية للجهاز
كما هي الحال الآن».
وقال تيسي شين، نائب رئيس مركز ابحاث «آي بي إم» للشؤون
العلمية والتقنية: «تمتلك الرقاقة الجديدة امكانات تؤهلها لتكون تقنية
الذاكرة العالمية في المستقبل»، مشيرا الى ان تقنية «مرام» ربما تبدأ
في الحلول مكان تقنيات الذاكرة الحالية اعتباراً من عام 2005.
الالمانية عن قيامهما بتطوير رقاقة حاسوبية ثورية ربما تتيح في نهاية
المطاف تشغيل وايقاف الكمبيوتر بلمح البصر مثل إشعال وإطفاء المصباح
الكهربائي. وقالت الشركتان في بيان مشترك: إن تقنية الذاكرة
المغناطيسية (مرام) الاكثر تقدما الى الآن تم تطويرها بدمج مكونات من
الذاكرة المغناطيسية في قاعدة منطقية عالية الاداء.
وتتميز «مرام» بسرعة اكبر في العمل وتخزين البيانات وهي اقل
استهلاكا للطاقة من رقاقات الذاكرة الاخرى، بحسب البيان الذي قال
أن «التقنية الجديدة سوف تحسن اداء الكمبيوترات المحمولة بشكل
كبير». وجاء البيان: «بما ان ذاكرة (مرام) تحتفظ بالمعلومات عندما
تنقطع عنها الطاقة فإن المنتجات الحاسوبية التي تستخدمها، مثل
الكمبيوترات الشخصية، سوف تكون قادرة على العمل مباشرة فور
التشغيل دون الحاجة للانتظار حتى تتم عملية الإعداد التلقائية للجهاز
كما هي الحال الآن».
وقال تيسي شين، نائب رئيس مركز ابحاث «آي بي إم» للشؤون
العلمية والتقنية: «تمتلك الرقاقة الجديدة امكانات تؤهلها لتكون تقنية
الذاكرة العالمية في المستقبل»، مشيرا الى ان تقنية «مرام» ربما تبدأ
في الحلول مكان تقنيات الذاكرة الحالية اعتباراً من عام 2005.